罗姆推出用于SiC MOSFET的新型顶部散热封装 兼具高散热能力和高电压支持

盖世汽车讯 据外媒报道，半导体制造商罗姆（ROHM）开发出用于SiC MOSFET的TSC3PA（14.00×18.58×3.50mm）封装。该产品采用顶部散热结构，将散热面置于封装顶部，从而实现自动化贴装，同时提供与传统通孔封装（TO-247-4L）相媲美的散热性能。这有助于提高车载充电器（OBC）和电动汽车（xEV）电动压缩机等电源转换电路的效率和可靠性。

 

图片来源：罗姆

在xEV领域，碳化硅（SiC）器件的应用范围已从主逆变器扩展到OBC和电动压缩机等功率转换电路，以提高充电速度并延长续航里程。此外，SiC器件也越来越多地应用于工业设备，例如高性能服务器电源和光伏（PV）逆变器等，这些应用对高效运行有着极高的要求。